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J-GLOBAL ID：201002284440323619   整理番号：10A0472217

多結晶Si膜のNd³⁺:YAGレーザアシスト作製に対するレーザ波長及びビームプロファイルの影響

Influence of laser wavelength and beam profile on Nd³⁺:YAG laser assisted formation of polycrystalline-Si films

著者 (4件)： PALANI I.a. (Dep. of Mechanical Engineering, Indian Inst. of Technol. Madras, Chennai-600036, IND) ,  VASA N.j. (Dep. of Engineering Design, Indian Inst. of Technol. Madras, Chennai 600036, IND) ,  SINGAPERUMAL M. (Dep. of Mechanical Engineering, Indian Inst. of Technol. Madras, Chennai-600036, IND) ,  OKADA T. (Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering (ISEE), Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 15  ページ： 4183-4190  発行年： 2010年05月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a-Si薄膜上の多結晶シリコン(ポリ-Si)の形成に及ぼすパルスNd³⁺:YAGレーザの波長及びビームプロファイルの影響を調べた。ガラス(a-Si/ガラス)及び結晶Si(a-Si/c-Si)基板上に堆積したアモルファス-シリコン(a-Si)の二組の試料をレーザフルエンスを変えて処理した。レーザ処理後の膜を走査電子顕微鏡,Raman分光法及び抵抗測定により分析した。Nd³⁺:YAGレーザの第三高調波(355nm)の場合,ポリ-Si膜が260mJ/cm²~560mJ/cm²のレーザフルエンスで得られたが,第二高調波(532nm)の場合にはポリ-Si膜形成のためのレーザフルエンスのプロセスウィンドウは300mJ/cm²~480mJ/cm²であった。一方,基本波長(1064nm)による試料処理の場合,約1100mJ/cm²の高レーザフルエンスの狭いプロセスウィンドウが観測された。さらに,基板もまた高レーザフルエンスのために影響を受けた。ポリ-Si膜の結晶化特性はNd³⁺:YAGレーザビームのGauss強度分布と比較してフラットトップ強度分布で良好になった。熱モデルに基づいた理論的シミュレーションを結晶化のメカニズムを理解するために行った。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  半導体薄膜 ,  Nd-YAGレーザ ,  *レーザアニーリング ,  *非晶質半導体 ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *結晶化 ,  光高調波 ,  フルエンス ,  Gaussビーム ,  レーザビーム ,  計算機シミュレーション ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： Si基板 ,  ガラス基板 ,  レーザフルエンス

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多結晶Si膜 ,  YAGレーザ ,  アシスト ,  作製 ,  レーザ波長 ,  ビームプロファイル