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J-GLOBAL ID:201002284699483827   整理番号:10A0970095

熱刺激電流分光法を使用するCdZnTe:Al中の欠陥準位の研究

Investigation on defect levels in CdZnTe : Al using thermally stimulated current spectroscopy
著者 (6件):
資料名:
巻: 43  号: 34  ページ: 345104,1-5  発行年: 2010年09月01日 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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CdZnTe材において,本来の欠陥,残留不純物および複合物を含む多くの欠陥があり,それらはバンドギャップ中で深い準位を導入する捕獲中心として働く。これらの欠陥は不完全な電荷収集を導く傾向があり,検出器性能を劣化させる。それゆえ,捕獲プロセスにおける欠陥挙動の知識がCdZnTe検出器の特性を制御し,改善するためにかなり重要である。この研究では,筆者らは熱刺激電流(TSC)測定によって成長したインゴットの頂部,中央部および底部から取られたアルミニウムをドーピングしたCdZnTe(CdZnTe:Al)中に存在する深いトラップ準位を識別した。古典的TSC解析は測定したTSCスペクトル中の重複するピークのためトラップ準位やそれらの特徴を確認するには不適切であると考え,筆者らはCdZnTe:Al中で見出された全ての深いトラップに適合させ,そしてそれらのトラップの特徴を計算するために同時多重ピーク解析(SIMPA)を適用した。
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
不純物・欠陥の電子構造 

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