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J-GLOBAL ID：201002284791580359   整理番号：10A0589915

最新低電子温度マイクロ波励起高密度プラズマシステムによる半導体デバイス製造のための低温(400°C)における酸化ケイ素と窒化ケイ素薄膜の成長と高成長速度

The Growth of Thin Silicon Oxide and Silicon Nitride Films at Low Temperature (400°C) and High Growth Rates for Semiconductor Device Fabrication by an Advanced Low Electron Temperature Microwave-Excited High-Density Plasma System

著者 (8件)： SAITO Yuji (Seiko Epson, JPN) ,  SEKINE Katsuyuki (Toshiba Corp., Yokkaich, JPN) ,  KAIHARA Ryu (Sharp Corp., JPN) ,  HIRAYAMA Masaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUGAWA Shigetoshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AHARONI Herzl (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AHARONI Herzl (Ben-Gurion Univ. Negev, Beer-Sheva, ISR) ,  OHMI Tadahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 23  号： 2  ページ： 328-339  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体製造のプロセス温度を下げることはULSI素子を実現する上で重要なことである。しかし,シリコン酸化物ゲート絶縁膜を500°C以下の低温で作製すると性能,再現性と成長速度の問題があった。本稿では,400°Cにおける酸化及び窒化薄膜成長を検討した。本システムでは,酸化と窒化反応にラジカルベースプロセスを利用した。不活性ガスとO₂,N₂,H₂などのマイクロ波励起高密度プラズマを用いた。プラズマ発生には,ラジアルラインスロットアンテナとホーンアンテナを用いて励起周波数を8.3と2.45GHzにした。p型MOSFETも試作した。この結果により,作製したSiO₂膜は通常の800~1000°Cで成長した膜と同等か,より優れていることを示した。400°Cで成長したゲート絶縁膜を用いたMOS素子は高い信頼性を示した。

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *成長速度 ,  酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  半導体プロセス ,  プラズマ ,  半導体素子 ,  電子温度 ,  酸化膜 ,  ラジカル反応 ,  スロットアンテナ ,  ホーンアンテナ ,  MOSFET ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： MOS素子 ,  マイクロ波プラズマ ,  高密度 ,  *低温プロセス ,  半導体デバイス ,  *半導体製造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (11件)： 電子温度 ,  マイクロ波 ,  励起 ,  高密度プラズマ ,  半導体デバイス製造 ,  低温 ,  酸化ケイ素 ,  窒化 ,  ケイ素薄膜 ,  成長 ,  成長速度