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J-GLOBAL ID：201002285063913607   整理番号：10A0492385

シリコンのナノ結晶を基本とする金属-絶縁体-半導体素子における固定電荷と容量ピークの相関

Correlation between fixed charge and capacitance peaks in silicon nanocrystal metal-insulator-semiconductor devices

著者 (5件)： FLYNN C (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  KOENIG D (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  PEREZ-WURFL I (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  GREEN M A (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  CONIBEER G (Univ. New South Wales, NSW, AUS)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 4  ページ： 045011,1-8  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンのナノ結晶(NC)を基本とする金属-絶縁体-半導体素子における固定電荷と容量ピークの相関を研究した結果を報告する。容量-電圧(C-V)測定から,正の酸化物固定電荷(FPOC)密度は素子を作製してから7週間に亘って緩やかに減少することが分かった。また,C-V曲線において,最初に観測された容量の2つのピークは,7週間後には消失することが分かった。これらのピークの中の一つの消失はFPOCによって誘起された外部反転層の低減に起因することが分かった。また,他の一つのピークの消失は小信号励起に応答する界面状態の低減に因ることが分かった。正の固定酸化物電荷の減少に応答した小信号界面状態の減少に関する説明を示し,MIS構造を持つトンネルダイオードモデルに基づいて解析する。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  ナノ結晶 ,  *MIS構造 ,  電荷 ,  容量電圧特性 ,  酸化物 ,  電荷分布 ,  密度 ,  表面準位 ,  反転層 ,  トンネルダイオード ,  モデル
準シソーラス用語： 固定電荷 ,  電荷密度 ,  界面準位

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  ナノ結晶 ,  金属-絶縁体-半導体素子 ,  固定電荷 ,  相関