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J-GLOBAL ID：201002285293839406   整理番号：10A0955487

PCMアプリケーション用のMOCVDによるGe₃Sb₂Te₅

MOCVD Ge₃Sb₂Te₅ for PCM Applications

著者 (11件)： ZHENG J. F. (ATMI Inc., CT, USA) ,  REED J. (Ovonyx Inc., MI, USA) ,  SCHELL C. (Ovonyx Inc., MI, USA) ,  CZUBATYIJ W. (Ovonyx Inc., MI, USA) ,  SANDOVAL R. (Ovonyx Inc., MI, USA) ,  FOURNIER J. (Ovonyx Inc., MI, USA) ,  LI W. (ATMI Inc., CT, USA) ,  HUNKS W. (ATMI Inc., CT, USA) ,  DENNISON C. (Ovonyx Inc., MI, USA) ,  HUDGENS S. (Ovonyx Inc., MI, USA) ,  LOWREY T. (Ovonyx Inc., MI, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 9  ページ： 999-1001  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeSbTe(GST)合金に基づく相変化メモリ(PCM)は,NOR型フラッシュメモリや携帯アプリケーション用補助メモリとして商品化されている。さらに市場拡大するために,サイクル寿命延長や高速書き込み速度に加えて,スケーリングによるさらなるコスト低減が必要である。本稿では,窒素と炭素を同時ドーピングしながらMOCVD蒸着したGST325(Ge₃Sb₂Te₅)合金の電気的キャラクタリゼーションを行った。その結果,リセット電流が2倍低減された。また,この素子はPVD GST225合金を使った素子とそれ以外は同等の性能を示した。サイクル寿命は7×10⁹を示した。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  相転移 ,  *MOCVD ,  サイクル寿命 ,  データ書込 ,  スケーリング【計数】 ,  原価低減 ,  ドーピング ,  消費電力 ,  フラッシュメモリ ,  NOR回路 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： NORフラッシュメモリ ,  コスト低減 ,  リセット ,  *相変化メモリ ,  低消費電力化

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： PCM ,  アプリケーション ,  MOCVD