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J-GLOBAL ID：201002285307733711   整理番号：10A1336299

Sb系トランジスタ用のAlGaSbバッファ層

AlGaSb Buffer Layers for Sb-Based Transistors

著者 (5件)： BENNETT Brian R. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  KHAN Saara A. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  BOOS J. Brad (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  PAPANICOLAOU Nicolas A. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  KUZNETSOV Vladimir V. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 10  ページ： 2196-2202  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al_0.8Ga_0.2Sbをバッファ層とし,InAS量子井戸を使ったHEMTについて報告した。開発したAlGaSb系バッファ層は,従来と比べて薄く,室温移動度は0.57μm層で20,000cm²/Vs以上であった。また,薄く成長速度が速い(1.5ML/s~2.0ML/s)ため,薄膜成長時間が約2時間から30分間以下となった。さらに,この薄い層のためバッファ層の抵抗が高くなり,ゲート漏れ電流が低減され,回路のデバイスアイソレーションが改良された。

シソーラス用語： *バッファ層 ,  量子井戸 ,  *ヒ化インジウム ,  成長速度 ,  漏れ電流 ,  アイソレーション【IC】 ,  ガリウム化合物 ,  アンチモン化合物 ,  *HEMT ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： *AlGaSb ,  InAs

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： Sb ,  トランジスタ ,  バッファ層