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J-GLOBAL ID：201002285418597230   整理番号：10A0241735

原子層沈着で成長したnZnO/pGaNヘテロ結合LEDのUVエレクトロルミネセンスと構造

UV Electroluminescence and Structure of n-ZnO/p-GaN Heterojunction LEDs Grown by Atomic Layer Deposition

著者 (8件)： CHEN Hsing-Chao (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Miin-Jang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WU Mong-Kai (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LI Wei-Chih (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  TSAI Hung-Ling (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  YANG Jer-Ren (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  KUAN Hon (Southern Taiwan Univ., Tainan, TWN) ,  SHIOJIRI Makoto (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 46  号： 1-2  ページ： 265-271  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UVフォトニックデバイスの材料として使用されるZnOについて検討した。ヘテロ結合LEDを製造するためにpタイプのGaNの上に高い品質のnタイプのZnOエピ層を成長させる原子層沈着について調べた。391nmでの急速熱アニーリングが,低い直流インジェクション電流でnZnO/pGaNヘテロ結合LEDにおいて,nZnOのサイドから観測された。ZnOエピ層が短波長のフォトニックデバイスに適用できることがわかった。

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  *化学蒸着 ,  酸化亜鉛 ,  窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  熱処理
準シソーラス用語： 原子層蒸着 ,  ZnO ,  GaN ,  LED ,  熱アニーリング ,  フォトニックデバイス

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子層 ,  沈着 ,  成長 ,  テロ ,  LED ,  エレクトロルミネセンス