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J-GLOBAL ID：201002285503364864   整理番号：10A0369652

MRAM最前線 磁気メモリ総論

Magnetic Random Access Memory

著者 (4件)： 宮崎照宣 (東北大 原子分子材料科学高等研究機構) ,  水上成美 (東北大 原子分子材料科学高等研究機構) ,  渡邉大輔 (東北大 原子分子材料科学高等研究機構) ,  WU Feng (東北大 原子分子材料科学高等研究機構)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 5  号： 4  ページ： 164-170  発行年： 2010年04月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 磁気メモリ(MRAM)は,まだ開発あるいは研究段階であるが,実用化されれば,今後電子デバイスのメモリの大部分が不揮発性RAMに置き換えられる可能性がある。本稿では,MRAMについて概説した。まず開発の歴史を簡単に紹介し,さらにMRAMの原理を説明した。次に,電流により磁化の向きを変化させるスピントランスファトルクとセル構造の推移に関して,スピントランスファトルクおよび面内磁化から垂直磁化への変遷について説明した。さらに,MRAM開発の課題として,1)高信号出力,2)高速書込み/読出し,3)低消費電力,4)高信頼性,および,5)大容量化について説明した。

シソーラス用語： *磁気メモリ ,  *MRAM ,  不揮発性メモリ ,  セル構造 ,  垂直磁化 ,  データ書込 ,  高速化 ,  消費電力 ,  *磁気抵抗効果 ,  トンネル効果 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： *スピントランスファトルク ,  トンネル磁気抵抗 ,  低消費電力化

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (39件)：

• BLOIS, M. S. Jr. J. Appl. Phys. 1955, 26, 975
• BOBECK, A. H. Bell System Tech. J. 1967, 46, 1901
• BINASCH, G. Phys. Rev. B. 1989, 39, 4828
• BAIBICH, M. N. Phys. Rev. Lett. 1988, 61, 2472
• MIYAZAKI, T. J. Magn. Magn. Mat. 1995, 139, L231

タイトルに関連する用語 (2件)： MRAM ,  磁気メモリ