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J-GLOBAL ID：201002285711076627   整理番号：10A0626846

マグネトロンスパッタリング-30年の一里塚

Magnetron sputtering - Milestones of 30 years

著者 (4件)： BRAEUER G. (Fraunhofer Inst. for Surface Engineering and Thin Films, Bienroder Weg 54 E, D-38108 Braunschweig, DEU) ,  SZYSZKA B. (Fraunhofer Inst. for Surface Engineering and Thin Films, Bienroder Weg 54 E, D-38108 Braunschweig, DEU) ,  VERGOEHL M. (Fraunhofer Inst. for Surface Engineering and Thin Films, Bienroder Weg 54 E, D-38108 Braunschweig, DEU) ,  BANDORF R. (Fraunhofer Inst. for Surface Engineering and Thin Films, Bienroder Weg 54 E, D-38108 Braunschweig, DEU)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 84  号： 12  ページ： 1354-1359  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1974年のJ.S.Chapinによる平面マグネトロンの導入以来,マグネトロンスパッタリングは薄膜を堆積するための最も重要な技術となった。今日,マグネトロンスパッタリングは,新製品の実現あるいは既存製品の改善のために高品質の被覆を必要とするすべての工業部門を征服した。マグネトロン陰極は,大面積上の経済的堆積という長所と非常に温度に敏感な塑性基板を被覆する能力を組み合わせている。平面マグネトロンの貧弱な標的材料利用,あるいは高度絶縁性膜堆積中のプロセス不安定性のような多くの問題は,過去30年間の多くの革新により解決された。”高電力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)”によりさらに優れた品質をもつ新しい膜が可能であるように思える。スパッター収量,したがって膜の成長速度を増大させる新しい試みは,”スパッター収量増幅(SYA)”あるいは熱い標的からのスパッタリングである。本論文は,過去30年間の重要な一里塚に関する簡単な総括を与え,いくつかの進行中の開発の概略を述べる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  面積 ,  塑性 ,  基板 ,  成長速度 ,  *研究開発
準シソーラス用語： 大面積 ,  可塑性

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (1件)： マグネトロンスパッタリング