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J-GLOBAL ID：201002285763396603   整理番号：10A0761715

高周波スパッタリングによって蒸着したa-C:H薄膜の構造と電気特性

Structure and electrical properties of a-C:H thin films deposited by RF sputtering

著者 (3件)： YAMAZATO M. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN) ,  MIZUMA I. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN) ,  HIGA A. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 19  号： 7-9  ページ： 695-698  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,水素化した非晶質炭素(a-C:H)薄膜の膜構造と電気特性を調べた。a-C:H薄膜は高周波マグネトロンスパッタリングによって調製した。13.56MHzと60MHzの2つの異なるRF電力を用いてa-C:H膜を蒸着した。結合した水素濃度は1.6×10²²から8.6×10²²cm^-3に変化した。組み込まれた水素原子の濃度は18から57at%に変化した。水素濃度の増加によって,光学ギャップは1.58から2.56eVに増えた。水素濃度の増加によって,抵抗率は10¹³から10¹⁵Ωcmに増加した。水素濃度の増加によって,1MHzで測定した誘電率は5.6から2.3に減少した。これらの結果は,水素濃度によって膜構造と電気特性を制御できるのを示す。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ガラス状炭素 ,  水素化 ,  *薄膜 ,  製膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  微細構造 ,  電気的性質 ,  濃度依存性 ,  バンドギャップ ,  電気抵抗 ,  誘電率 ,  反応制御

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高周波スパッタリング ,  蒸着 ,  薄膜 ,  電気特性