RUMYANTSEV S について
Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA について
RUMYANTSEV S について
Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St Petersburg, RUS について
Univ. California-Riverside, CA, USA について
STILLMAN W について
Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA について
Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA について
BALANDIN A A について
Univ. California-Riverside, CA, USA について
Journal of Physics. Condensed Matter について
薄膜トランジスタ について
単原子層 について
二分子層 について
低周波雑音 について
電流電圧特性 について
時間依存性 について
雰囲気 について
キャリア移動度 について
雑音特性 について
接触抵抗 について
スペクトル密度 について
MOSFET について
グラフェン について
雑音源 について
トランジスタ について
グラフェン について
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雑音特性 について
雑音源 について
物理 について