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J-GLOBAL ID：201002286192091083   整理番号：10A0823242

電子常磁性共鳴により調べたフッ素注入シリコンにおけるフッ素-空格子点欠陥

Fluorine-vacancy defects in fluorine-implanted silicon studied by electron paramagnetic resonance

著者 (7件)： UMEDA T. (Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-8573, JPN) ,  ISOYA J. (Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-8573, JPN) ,  OHSHIMA T. (Japan Atomic Energy Agency, Takasaki 370-1292, JPN) ,  ONODA S. (Japan Atomic Energy Agency, Takasaki 370-1292, JPN) ,  MORISHITA N. (Japan Atomic Energy Agency, Takasaki 370-1292, JPN) ,  OKONOGI K. (Elpida Memory, Inc., Higashihiroshima 739-0198, JPN) ,  SHIRATAKE S. (Elpida Memory, Inc., Higashihiroshima 739-0198, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 4  ページ： 041911  発行年： 2010年07月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素注入シリコンにおけるフッ素-空格子点欠陥(F_nV_m)の電子常磁性共鳴(EPR)研究を行った。フッ素注入はSiマイクロデバイスの重要な技術であり,EPR測定により,この過程で様々なサイズ(V₂,V₄,及びV₅)のF_nV_m欠陥が生成されることを示した。F_nV_mでは,Si-F結合は水素-空格子点複合体のSi-H結合に比べて異なる化学的性質を見せた。最も原始的な欠陥はFV₂(F0中心)であり,最終的な型はF_nV₅(F1中心)とF_nV₂ (F2中心)で,これらは200°Cの低い温度のアニーリング過程で増大した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  フッ素 ,  ドーピング ,  *複合欠陥 ,  空格子点 ,  不純物中心 ,  *常磁性共鳴 ,  熱処理 ,  スペクトル線帰属 ,  不純物半導体

分類 (2件)： 金属・半導体のEPR  (BM07022M) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子常磁性共鳴 ,  フッ素 ,  注入 ,  シリコン ,  格子点欠陥