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J-GLOBAL ID：201002286270544448   整理番号：10A0924809

ナノスケールフラッシュメモリアレイの分布サイクル後のしきい値電圧不安定性の検討

Investigation of the Threshold Voltage Instability after Distributed Cycling in Nanoscale NAND Flash Memory Arrays

著者 (10件)： COMPAGNONI Christian Monzio (Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA) ,  MICCOLI Carmine (Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA) ,  MOTTADELLI Riccardo (Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA) ,  BELTRAMI Silvia (Numonyx, Agrate Brianza (MI), ITA) ,  GHIDOTTI Michele (Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA) ,  LACAITA Andrea L. (Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA) ,  LACAITA Andrea L. (IFN, CNR, Milano, ITA) ,  SPINELLI Alessandro S. (Politecnico di Milano-IU.NET, Milano, ITA) ,  SPINELLI Alessandro S. (IFN, CNR, Milano, ITA) ,  VISCONTI Angelo (Numonyx, Agrate Brianza (MI), ITA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 604-610  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サイクル持続時間,サイクル温度,保持中電界としきい値電圧(V_T)抽出確率の関数として,V_T損失過渡特性を修正する方法を定量的に評価した,NANDナノスケールフラッシュメモリアレイのサイクルにより生じるデータ保持V_T不安定性への分布サイクル効果の包括的実験検討について初めて述べた。このアレイをサイクル後書込み状態にした場合,時間とともに増し,前のサイクル中に生じたセル損傷の部分的回復から生じたV_Tの累積分布の負シフトとして,不安定性が主に発生することを示した。以前のNOR素子に関する報告と類似して,NAND技術に関する結果も,サイクル時間または温度を増加した場合,データ保持V_T損失の減小を示した。V_T損失は,保持中トンネル酸化膜電界およびサイクル条件に強く依存した。さらに,分布サイクルと分布サイクル後保持で,1.0~1.2eV範囲が,損傷回復過程の最も典型的な温度活性化範囲であることがわかった。NANDフラッシュの分布サイクルと分布サイクル後の保持認定ストレス試験を設計する場合,これらの結果を考慮する必要がある。

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  電圧 ,  半導体素子 ,  *信頼性 ,  モデリング ,  *データ消去 ,  *データ書込 ,  NAND回路 ,  遅延特性 ,  確率分布 ,  Arrheniusの式 ,  保持
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  累積分布 ,  データ保持

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分布 ,  サイクル ,  しきい値電圧 ,  不安定性