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J-GLOBAL ID：201002286343177120   整理番号：10A0460787

ドーパント偏析Schottkyゲート全周包囲型SiナノワイヤMOSFETに関する部分回路の簡潔なモデル

Subcircuit Compact Model for Dopant-Segregated Schottky Gate-All-Around Si-Nanowire MOSFETs

著者 (9件)： ZHU Guojun (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ZHOU Xing (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  CHIN Yoke-King (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  PEY Kin Leong (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ZHANG Junbin (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  SEE Guan Huei (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd., Singapore) ,  LIN Shihuan (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  YAN Yafei (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  CHEN Zuhui (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 4  ページ： 772-781  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーパント偏析Schottky(DSS)ゲート全周包囲(GAA)Siナノワイヤ(SiNW)MOSFETに関する解析的なデバイスモデルと,物理的に厳密なモデルのためのユニークな部分回路法について報告する。このDSS-GAA-SiNW-MOSFETの直流特性について,数値シミュレーションと作製したデバイスを通して研究する。輸送メカニズムを検討し,両極性熱イオントンネリングから単極性ドリフト拡散までと,ドーパント偏析ドーピングおよび厚みが変動するものとして,これらを総合して,数値的デバイスモデルを用いて記述する。I_ds-V_ds特性にみられる凸形曲線について,部分回路のコンパクトなモデルによって正確に再現している。提案した部分回路モデリング法は,将来のトランジスタのコンパクトなモデリング傾向に適した結合方程式解法である。

シソーラス用語： ドーパント ,  偏析 ,  *Schottky障壁 ,  ゲート【半導体】 ,  素子構造 ,  ケイ素 ,  ナノワイヤ ,  *MOSFET ,  回路分割 ,  等価回路 ,  *トランジスタモデル ,  電流電圧特性 ,  解析モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドーパント偏析 ,  ゲート ,  包囲 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  MOSFET ,  モデル