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J-GLOBAL ID：201002286540119302   整理番号：10A0937373

n-ZnO/SiO₂-ZnOナノコンポジット/p-GaNヘテロ構造発光ダイオードの構造と紫外光エレクトロルミネセンス

Structure and Ultraviolet Electroluminescence of n-ZnO/SiO₂-ZnO Nanocomposite/p-GaN Heterostructure Light-Emitting Diodes

著者 (9件)： CHEN Miin-Jang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  SHIH Ying-Tsang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WU Mong-Kai (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Hsing-Chao (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  TSAI Hung-Ling (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LI Wei-Chih (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  YANG Jer-Ren (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  KUAN Hon (Southern Taiwan Univ., Tainan, TWN) ,  SHIOJIRI Makoto (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 9  ページ： 2195-2202  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-ZnO/SiO₂-ZnOナノコンポジット/p-GaNヘテロ構造紫外光(UV)発光ダイオード(LED)を作製し,その構造と光学特性について調べた。SiO₂ナノ粒子のスピンオン塗布により,SiO₂層をp-GaN上に設けた。原子層堆積法(ALD)を用いて,SiO₂-ZnOナノコンポジット層上n型AlドープZnO層とSiO₂ナノ粒子間小空孔内に,ZnOナノドットを堆積した。厚型SiO₂-ZnOナノコンポジット層中のキャリア輸送を可能にするZnOナノドットがSiO₂マトリクス内に埋め込まれたことを,高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)により明らかにした。また,HRTEM像中にn-ZnO層の良質な結晶格子像を観測した。n-ZnO層からの387nm波長光のエレクトロルミネセンス(EL)が注入電流とともに急増し,p-GaNからの419nm発光を超えるまでになった。SiO₂-ZnOナノコンポジット層が,n-ZnOからp-GaN中への電子注入に対する大きなエネルギー障壁による電流阻止効果に寄与した。SiO₂-ZnOナノコンポジット層の低屈折率は全内部反射によるn-ZnOからの採光効率の増加,およびn-ZnOとSiO₂-ZnOナノコンポジット層間の大きな屈折率差の原因となった。1.8mAの低注入電流でのZnOからの無視可能な欠陥に関係したバンドを有する顕著なUV放出および低しきい値強度をもつ光起電力ポンプ刺激型放出から,ALD方法により成長したZnO層が次世代短波長フォトニック素子に応用が可能であるとわかった。

シソーラス用語： 原子層エピタクシー ,  ヘテロ接合 ,  素子構造 ,  *発光ダイオード ,  *エレクトロルミネセンス ,  酸化亜鉛 ,  二酸化ケイ素 ,  窒化ガリウム ,  ナノ構造 ,  *紫外発光スペクトル

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ZnO ,  SiO2 ,  ナノコンポジット ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  発光ダイオード ,  紫外光 ,  エレクトロルミネセンス