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J-GLOBAL ID：201002286591785129   整理番号：10A0760240

HfNiSnハーフHeusler薄膜の構造および熱電特性

Structural and thermoelectric properties of HfNiSn half-Heusler thin films

著者 (4件)： WANG Shu-hui (Industrial Technol. Res. Inst., Material and Chemical Res. Laboratories, Chung Hsing Rd., Sec.4 Chu Tung ...) ,  CHENG Hsin-ming (Industrial Technol. Res. Inst., Material and Chemical Res. Laboratories, Chung Hsing Rd., Sec.4 Chu Tung ...) ,  WU Ren-jye (Industrial Technol. Res. Inst., Material and Chemical Res. Laboratories, Chung Hsing Rd., Sec.4 Chu Tung ...) ,  CHAO Wen-hsuan (Industrial Technol. Res. Inst., Material and Chemical Res. Laboratories, Chung Hsing Rd., Sec.4 Chu Tung ...)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 21  ページ： 5901-5904  発行年： 2010年08月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハーフHeusler合金のバルク熱電特性が,熱電材料としての潜在的可能性により最近広範にわたり研究されている。しかしながら,薄膜系では僅かな発表しかされていない。本研究では25°C,200°C,および400°Cの種々の基板温度で成長させたハーフHeusler合金薄膜の構造および熱電特性を調べた。膜の結晶相および構造変動はX線回折と走査電子顕微鏡により決定した。多結晶薄膜は低い基板温度を有効利用して得られた。基板温度が400°Cより高い場合,HfNiSn薄膜は優先(111)配向を示した。優先配向を有するHfNiSn薄膜の面内Seebeck係数と抵抗率は,配向無しの膜に比べずっと低い値だった。このことはHeusler合金の熱電特性は異方的特性を示すことを意味している。本研究で得られたHfNiSn薄膜の最上のSeebeck係数とパワー因子は室温で測定してそれぞれ-68μV/Kおよび1.3μW/K²cmである。HfNiSn薄膜の熱電特性へのSbによるSnの部分置換の影響も「擬組合せ」手法により研究した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ハフニウム合金 ,  *ニッケル含有合金 ,  *スズ含有合金 ,  *ホイスラー合金 ,  金属薄膜 ,  熱電材料 ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板温度 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  電気抵抗率 ,  アンチモン ,  強磁性体 ,  集合組織 ,  スパッタ蒸着 ,  *熱起電力
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  異方性材料 ,  ハーフメタル

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜 ,  熱電特性