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J-GLOBAL ID:201002286635590010   整理番号:10A0426376

光架橋性高分子錯体を用いた無電解メッキプロセスの開発

著者 (4件):
資料名:
巻: 90th  号:ページ: 908  発行年: 2010年03月12日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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無電解めっき法により形成した皮膜は複雑な形状物に対しても均一な膜厚が得られ,電気を用いないため不導体にも皮膜可能であり幅広い分野において利用されている。そこで,本研究ではポリビニルピリジンより作製したUV硬化型の感光性架橋ポリマーを用いて,簡便かつ低コストに選択的なニッケル皮膜を作製する方法について報告する。(著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (4件):
分類
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その他の高分子の反応  ,  高分子固体の物理的性質  ,  コバルトとニッケルの錯体  ,  無電解めっき 
タイトルに関連する用語 (5件):
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