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J-GLOBAL ID:201002286726715690   整理番号:10A0268772

単一の半導体ナノワイヤヘテロ構造に関する時間分解光ルミネセンスによる洞察

Insights into single semiconductor nanowire heterostructures using time-resolved photoluminescence
著者 (4件):
資料名:
巻: 25  号:ページ: 024010,1-13  発行年: 2010年02月 
JST資料番号: E0503B  ISSN: 0268-1242  CODEN: SSTEET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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単一の半導体ナノワイヤやそのヘテロ構造の物理を理解するために,時間分解光ルミネセンス(TRPL)によって様々な観点から研究した結果を報告する。とくに,CdS,InP,GaAsおよびGaAs/AlGaAsから成るコア/シェル構造を研究した。TRPLは単一のナノワイヤにおける無放射および放射性欠陥を評価するのに不可欠な道具で,パルス励起に対するナノワイヤの固有応答を研究するのに有用であることが分かった。TRPL測定を用いて,タイプII型のバンド構造を持つZB/WZのInPから成るホモエピタキシャル構造における量子閉じ込め効果を理解し,単一ナノワイヤにおける多体効果とスピン効果を観測することができた。
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分類 (2件):
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半導体の結晶成長  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (4件):
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