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J-GLOBAL ID：201002286919379182   整理番号：10A0926973

REBa₂Cu₃O_y薄膜におけるナノロッドの成長機構(RE:希土類元素)

Growth mechanism of nanorods in REBa₂Cu₃O _y films (RE: rare-earth element)

著者 (7件)： ICHINOSE A. (Central Res. Inst. of Electric Power Ind., Electric Power Engineering Res. Lab., 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa ...) ,  KAI H. (Kyushu Univ., 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  MUKAIDA M. (Kyushu Univ., 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  HORII S. (Kochi Univ. of Technol., Tosayamada, Kochi 782-8502, JPN) ,  KITA R. (Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, JPN) ,  MATSUMOTO K. (Kyushu Inst. of Technol., 1-1 Sensui-cho Tobata-ku, Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  YOSHIDA Y. (Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 20  ページ： 2914-2918  発行年： 2010年10月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁場の下での臨界電流密度は人工的なピン止め中心の導入によって向上されてきた。REBa₂Cu₃O_y薄膜中のナノロッドはc軸相関ピン止め中心として著しく有効である。しかしながら,ナノロッドはある時には超伝導薄膜のc軸方向から傾く。ナノロッド傾斜の機構を理解するために,Ba(Nb_0.5Er_0.5)O₃(BNO)ナノロッドを含むErBa₂Cu₃O_y薄膜を微斜面を有するSrTiO₃単結晶上に堆積した。ナノロッドの微細構造を透過型電子顕微鏡(TEM)で調べた。その結果,断面TEM像においてBNOナノロッドは基板面の階段から対角線状に成長することが見出された。ナノロッドの対角線的成長の機構は偏析係数によって説明できる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *高温超伝導体 ,  *超伝導薄膜 ,  *エルビウム化合物 ,  バリウム化合物 ,  銅化合物 ,  酸化物 ,  ニオブ化合物 ,  *臨界電流密度 ,  磁場効果 ,  *ナノロッド ,  磁束ピン止め ,  微斜面 ,  単結晶 ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  ナノ複合材料 ,  レーザ蒸着 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  *不純物 ,  *パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  ナノロッド ,  成長 ,  Re ,  希土類元素