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J-GLOBAL ID：201002286941613253   整理番号：10A0213064

多様なIII-V族MOSFETアーキテクチャの性能特性に及ぼす界面状態捕獲密度の影響

Impact of interface state trap density on the performance characteristics of different III-V MOSFET architectures

著者 (11件)： BENBAKHTI B. (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Univ. of Glasgow, Glasgow, Scotland G12 8LT, GBR) ,  AYUBI-MOAK J.s. (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Univ. of Glasgow, Glasgow, Scotland G12 8LT, GBR) ,  KALNA K. (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Univ. of Glasgow, Glasgow, Scotland G12 8LT, GBR) ,  LIN D. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  HELLINGS G. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  HELLINGS G. (Univ. of Leuven - ass. Section of ESAT/INSYS, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Leuven, BEL) ,  BRAMMERTZ G. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  DE MEYER K. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  DE MEYER K. (Univ. of Leuven - ass. Section of ESAT/INSYS, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Leuven, BEL) ,  THAYNE I. (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Univ. of Glasgow, Glasgow, Scotland G12 8LT, GBR) ,  ASENOV A. (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Univ. of Glasgow, Glasgow, Scotland G12 8LT, GBR)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 50  号： 3  ページ： 360-364  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4種類の最近提案されたIII-V族MOSFETアーキテクチャ:表面チャネルデバイス,チャネル下側δドーピングのフラットバンド無注入HEMT類似デバイス,δドーピング埋込みチャネル設計,そしてδドーピング無しの無注入量子井戸HEMT類似構造について,TCADシミュレーションツールを用いて研究した。入力シミュレーションデック中に界面状態の任意のエネルギー分布を取込んだ方法を開発して,サブスレッショルド特性と駆動電流への影響を解析した。伝導帯にまで広がる高密度テールを有する界面状態分布が,表面チャネル設計とδドーピング無し無注入量子井戸HEMT類似構造の両者におけるサブスレッショルド性能に影響する可能性がある。さらに,同じ分布がミッドギャップ近傍で動作するフラットバンド無注入および埋込みチャネルアーキテクチャの両者の性能には,ほとんどあるいはまったく影響しない。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *MOSFET ,  半導体プロセス ,  HEMT ,  δドーピング ,  CAD【計算機】 ,  表面準位 ,  *状態密度 ,  量子井戸 ,  埋込み【挿入】 ,  *捕獲中心 ,  キャリア捕獲 ,  素子構造

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOSFET ,  アーキテクチャ ,  性能特性 ,  界面状態 ,  捕獲密度