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J-GLOBAL ID：201002287019116050   整理番号：10A0695046

ペンタセン薄膜トランジスタ向けの低温加工性で優れた耐化学性を持つ光硬化性ポリイミドゲート絶縁体

Photocurable Polyimide Gate Insulator for Pentacene Thin-Film Transistor With Excellent Chemical Resistance by Low Temperature Processing

著者 (7件)： LEE Jin Hee (Korea Res. Inst. Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  LEE Jin Hee (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  KIM Ji Young (Korea Res. Inst. Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  YI Mi Hye (Korea Res. Inst. Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  KA Jae Won (Korea Res. Inst. Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  HWANG Taek Sung (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  AHN Taek (Kyungsung Univ., Busan, KOR)
資料名： Molecular Crystals and Liquid Crystals  (Molecular Crystals and Liquid Crystals)
巻： 519  ページ： 192-198  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： B0877A  ISSN： 1542-1406  CODEN： MCLCE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 柔軟な有機電子素子を実現するためには,有機半導体と共に溶液加工ゲート絶縁体が必須である。この溶液加工性絶縁体には有機半導体を保護するために低温加工が必要である。そこで,有機薄膜トランジスタ(OTFT)に向けた光硬化性ポリイミドに基づくゲート絶縁体を導入した。これにより,低温及び溶液に基づく加工が可能となり,素子の低漏れ電流密度及び高電界効果移動度が達成できた。即ち,有機ゲート絶縁体(PI-TTE)を,ヒドロキシル基含有ポリイミド75.2wt%,架橋剤トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル23.8wt%及び光酸発生剤としての過酸化ベンゾイル0.5wt%並びにトリフル酸トリフェニルスルホニウム0.5wt%とからのブレンドにより合成した。PI-TTEは,3.3MV/cmで2.33×10^-10A/cm²と言う極めて低い漏れ電流密度を示し,また極めて安定したキャパシタンス(96.74pF/mm²)を示して,600hrに達しても変化は起きなかった。ゲート誘電体としてPI-TTEを活用したペンタセンTFTは,電界効果移動度0.203cm²/Vsを示し,ほとんどヒステリシスなしのオンオフ比1.55×10⁵を示した。

シソーラス用語： *芳香族ポリイミド ,  重縮合 ,  酸無水物 ,  ジアミン ,  芳香族アミン ,  芳香族縮合化合物 ,  スピンコーティング ,  光架橋 ,  紫外線照射 ,  環状エーテル ,  開環反応 ,  高分子薄膜 ,  *誘電体薄膜 ,  *絶縁膜 ,  ゲート【半導体】 ,  *薄膜トランジスタ ,  有機半導体 ,  ポリアセン ,  キャリア移動度 ,  電場効果 ,  漏れ電流 ,  電流密度 ,  スイッチング ,  光酸発生剤 ,  静電容量 ,  ヒドロキシ基
準シソーラス用語： ヒドロキシル基

分類 (3件)： 高分子と低分子との反応  (CG03020L) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (3件)： 5,5′-[ビス(トリフルオロメチル)メチレン]ビス(イソベンゾフラン-1,3-ジオン) ,  4,4′-ジアミノ-1,1′-ビフェニル-3,3′-ジオール ,  2,2′,2′′-[プロピリジントリス(メチレンオキシメチレン)]トリスオキシラン

タイトルに関連する用語 (7件)： ペンタセン ,  薄膜トランジスタ ,  低温加工 ,  耐化学性 ,  光硬化 ,  ポリイミド ,  ゲート絶縁体