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J-GLOBAL ID：201002287024200477   整理番号：10A1041232

充填4面体化合物Li₃AlN₂とLi₃GaN₂の光学的研究

Optical Study of Filled Tetrahedral Compounds Li₃AlN₂ and Li₃GaN₂

著者 (3件)： DADSETANI M. (Univ. Lorestan, Lorestan, IRN) ,  NAMJOO S. (Univ. Lorestan, Lorestan, IRN) ,  NEJATI H. (Univ. Lorestan, Lorestan, IRN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 8  ページ： 1186-1193  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Li₃AlN₂とLi₃GaN₂はワイドバンドギャップ,高熱伝導率,および大きい体積弾性率を持ち,固体照明,オプトエレクトロニクス,や電気化学的アプリケーション用材料として注目されている。本稿では,Li₃AlN₂とLi₃GaN₂の誘電関数,吸収係数,およびエネルギー損失関数を密度汎関数理論内で,交換相関ポテンシャルに対する一般化傾斜近似(GGA)による全ポテンシャル線形化APW法(FP-LAPW法)を使って調べた。Li₃GaN₂とLi₃AlN₂は,それぞれ静的誘電率5.34と4.75およびプラズモンエネルギー19.47eVと18.5eVを示した。

シソーラス用語： 四面体 ,  誘電関数 ,  吸収係数 ,  エネルギー損失 ,  密度汎関数法 ,  *APW法 ,  誘電率 ,  プラズモン ,  圧縮率 ,  *化合物半導体 ,  *光学的性質
準シソーラス用語： *FPLAPW法 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  体積弾性率 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4面体 ,  光学 ,  研究