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J-GLOBAL ID:201002287076091307   整理番号:10A0098158

DC及び高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)に用いるNi,Cr,及びNiCrの光学発光分光分析

Optical Emission Spectroscopy of Ni, Cr, and NiCr for DC and High Power Impulse Magnetron Sputtering (HiPIMS)
著者 (4件):
資料名:
巻: 52nd  ページ: 588-591  発行年: 2009年 
JST資料番号: E0063B  ISSN: 0737-5921  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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力の測定の技術的応用には歪みゲージが用いられている。歪み測定に関して,代表的には膠箔歪みゲージが,そして今日では薄膜歪みゲージが幾つかの応用に利用されている。また,しばしばポリマー歪みゲージによる測定も行なわれている。具合の悪いことに,これらの歪みゲージは,ポリマーや膠のクリープ及び膨潤の結果となる湿度と温度に高度に感受性である。物理蒸着(PVD)による素材上への歪みゲージの直接の適用により,この負の影響を回避した。センサ薄膜層に用いる代表的な材料としてNiCrは良く定着している。これらの層のセンサ的な性質が,例えば誘導出力又は適用沈着技術それ自体(DC又はHiPIMS:高出力インパルスマグネトロンスパッタリング)を用いるプラズマの性質の影響を受けるために,誘発ピーク出力及び電流密度がかなり増加可能であり,それゆえ材料の性質が改善される。プラズマの性質に及ぼす用いるプロセスの影響のより良い理解のために,光学発光分光分析を利用した。本論文においては,2種のNiCr化合物のターゲット化学量論の影響を研究し,単一元素のスパッタリングと比較した。更に,プロセスにおけるイオン成分の改質について研究するために,DC及びHiPIMSの両プロセスについて光学分光スペクトルを得た。
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分類 (3件):
分類
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薄膜成長技術・装置  ,  金属薄膜  ,  金属,合金の物理分析 

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