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J-GLOBAL ID：201002287260354264   整理番号：10A0139169

世界初の新規GaN基板上純緑色レーザ開発 I

The World’s First True Green Laser Diodes on Novel Semi-Polar {2021} GaN Substrates I

著者 (10件)： 京野孝史 (住友電気工業) ,  塩谷陽平 (住友電気工業) ,  秋田勝史 (住友電気工業) ,  上野昌紀 (住友電気工業) ,  足立真寛 (住友電気工業) ,  住友隆道 (住友電気工業) ,  徳山慎司 (住友電気工業) ,  池上隆俊 (住友電気工業) ,  片山浩二 (住友電気工業) ,  中村孝夫 (住友電気工業)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 176  ページ： 88-92  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 従来と異なる面方位を有するGaN結晶により得られた波長531nmの純緑色での室温パルスレーザ発振,波長520nmでの室温連続発振での,緑色レーザ発振に結びついた面方位の特徴を述べた。従来のc面に替わる新しい面方位{20<span style=text-decoration:overline>2</span>1}面上の発光層の性質を,InGaN-MQW発光層の場合で,ピエゾ電界と結晶品質の面から考察した。{20<span style=text-decoration:overline>2</span>1}面上の電流注入によるブルーシフト量はc面上と比較して小さく,発光層におけるピエゾ電界が低減されていると述べた。蛍光顕微鏡観測により表面からの微視的な発光は均一性が高いこと,断面STEM観察によりMQWは極めて急峻なヘテロ界面を有することを確認した。

シソーラス用語： *可視レーザ ,  *量子井戸レーザ ,  緑 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  インジウム化合物 ,  レーザ発振 ,  結晶面 ,  多重量子井戸 ,  パルスレーザ

分類 (1件)： 固体レーザ  (BD04080W)

引用文献 (16件)：

• 木村、「超小型Projiectorの開発動向と将来展望」、TSR、2008年12月 (図1は (1) を基に作成)
• 根津、「緑色LEDの発光効率を高める、GaN結晶の成長面を変えて挑戦」、日経エレクトロニクス、2006年8月14日号、pp. 65-70 (図2は (2) を基に作成)
• Y. Enya, Y. Yoshizumi, T. Kyono, K. Akita, M. Ueno, M. Adachi, T. Sumitomo, S. Tokuyama, T. Ikegami, K. Katayama and T. Nakamura, “531 nm Green Lasing of InGaN Based Laser Diodes on Semi-Polar {2021} Free-Standing GaN Substrates”, Appl.Phys. Express 2(2009) 082101
• Y. Yoshizumi, M. Adachi, Y. Enya, T. Kyono, S. Tokuyama, T. Sumitomo, K. Akita, T. IkegamI, M. Ueno, K. Katayama and T. Nakamura, “Continuous-Wave Operation of 520 nm Green InGaN-Based Laser Diodes on Semi-Polar {2021} GaN Substrates”,Appl.Phys. Express 2(2009) 092101
• S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano and T. Mukai, “Wavelength Dependence of InGaN laser Diode Characteristics”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.40(2001) 3075

タイトルに関連する用語 (4件)： 世界 ,  GaN ,  緑色レーザ ,  開発