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J-GLOBAL ID：201002287353372718   整理番号：10A0422128

硫黄不動態化処理されたゲルマニウムにおけるSchottky界面のFermi準位の脱ピン止め

Fermi level depinning at the germanium Schottky interface through sulfur passivation

著者 (4件)： THATHACHARY Arun V. (Dep. of Electrical Communication Engineering, Center for Excellence in Nanoelectronics (CEN), Indian Inst. of Sci. ...) ,  BHAT K. N. (Dep. of Electrical Communication Engineering, Center for Excellence in Nanoelectronics (CEN), Indian Inst. of Sci. ...) ,  BHAT Navakanta (Dep. of Electrical Communication Engineering, Center for Excellence in Nanoelectronics (CEN), Indian Inst. of Sci. ...) ,  HEGDE M. S. (Solid State and Structural Chemistry Unit (SSCU), Indian Inst. of Sci., Bangalore 560012, IND)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 15  ページ： 152108  発行年： 2010年04月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型およびn型ゲルマニウムを水性(NH₄)₂S処理によって硫黄不動態化すると,Fermi準位のピンはずれが起こることが分かった。仕事関数の異なる様々な金属を用いて作製したSchottkyコンタクトは,Fermi準位が脱ピン止めしていることを明確に示唆する理想的な振る舞いを示すことが分かった。X線光電子分光法を用いて,不動態化表面を研究した結果,Geと硫黄の結合が明らかになった。不動態化処理を行い,ZrのSchottkyコンタクトを形成すると,n型Geに対する優れたOhm接触と0.6eVというp型Geの正孔に対する高い障壁高(φ_Bp)が得られることが分かった。この値はこれまでに報告されているφ_Bpの最高値である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ピン止め ,  *ゲルマニウム ,  半導体 ,  不動態化 ,  硫黄 ,  *Schottky障壁 ,  Fermi準位 ,  仕事関数 ,  X線光電子スペクトル ,  化学結合 ,  ジルコニウム ,  *半導体金属接合 ,  N型半導体 ,  Ohm接触 ,  P型半導体 ,  ポテンシャル障壁
準シソーラス用語： 脱ピン止め ,  障壁高さ

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 硫黄 ,  不動態化 ,  ゲルマニウム ,  界面 ,  Fermi準位 ,  脱ピン止め