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J-GLOBAL ID：201002287819689130   整理番号：10A0831574

ワイドギャップ半導体TlGaSe₂単結晶中のFe³⁺イオンの零磁場分裂パラメータの理論解釈

Theoretical interpretation of the zero-field splitting parameters for Fe3+ ions in wide-band gap semiconductor TlGaSe2 single crystal

著者 (3件)： ACIKGOEZ Muhammed ,  GNUTEK Pawel ,  RUDOWICZ Czeslaw
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 150  号： 35-36  ページ： 1610-1613  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： タリウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  セレン化物 ,  *鉄 ,  *磁性不純物 ,  不純物中心 ,  *ゼロ磁場分裂 ,  磁気共鳴 ,  スピンハミルトニアン ,  化合物半導体
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体

分類 (1件)： 金属・半導体のEPR  (BM07022M)

タイトルに関連する用語 (6件)： ワイドギャップ半導体 ,  単結晶 ,  イオン ,  零磁場分裂 ,  パラメータ ,  理論