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J-GLOBAL ID：201002287951055689   整理番号：10A0851114

室温でdcマグネトロンスパッタリングによって蒸着された酸化インジウム亜鉛半導体薄膜

Indium zinc oxide semiconductor thin films deposited by dc magnetron sputtering at room temperature

著者 (6件)： LI G.f. (Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  ZHOU J. (Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  HUANG Y.w. (Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  YANG M. (Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  FENG J.h. (Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  ZHANG Q. (Dep. of Materials Sci., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 85  号： 1  ページ： 22-25  発行年： 2010年07月23日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファス酸化インジウム亜鉛(IZO)薄膜を,ガラス基板上に室温でdcマグネトロンスパッタリングによって作製した。IZO膜の抵抗は,蒸着の間に酸素分圧を変えることによって,3.8×10^-3と2.5×10⁶Ωcmの間で制御でき,一方83%を超えて平均透過率を維持した。チャネル層としてその表面平方自乗平均粗さが1nm以下であるIZO膜を用いて,薄膜トランジスタを室温で作製した。これは,5.2cm²V^-1s^-1の移動度,0.94Vの閾電圧,~10⁴のオン/オフ比という良好な飽和特性でエンハンストモード動作を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  インジウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *金属酸化物 ,  非晶質 ,  *蒸着膜 ,  基板 ,  ガラス ,  *電気抵抗 ,  分圧 ,  *光透過 ,  キャリア移動度 ,  閾値 ,  比率 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： *酸化インジウム亜鉛 ,  酸素分圧 ,  オンオフ比

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  酸化インジウム亜鉛 ,  半導体薄膜