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J-GLOBAL ID：201002288459191140   整理番号：10A0133832

Hラジカル支援マグネトロンスパッタリングによるSi薄膜堆積における結晶成長の増強

Enhancement of Crystal Growth in Si Thin-Film Deposition by H-Radical-Assisted Magnetron Sputtering

著者 (3件)： FUKAYA Kota (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TABATA Akimori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SASAKI Koichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 1,Issue 1  ページ： 015501.1-015501.5  発行年： 2010年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hラジカル支援マグネトロンスパッタリング(HRAMS)と呼ぶ,付加的なHラジカル源を有する新しいSiスパッタリング堆積システムを開発した。このシステムは,3mTorrの低い全気体圧力においても,マイクロ結晶膜の作製を可能にし,結晶体積率は,3から5mTrrへの全気体圧力の上昇とともに,41から77%へ急激に増大した。他方,従来のH₂/Ar混合スパッタリングシステムは,5mTorr以下の全気体圧力でも非晶質膜を作製した。加えて,HRAMSにより作製した膜の結晶性は,10%以下のH₂分圧比における従来のマグネトロンスパッタリングによるそれよりも高かった。HRAMSによる結晶性のこれらの改善は,次の二つの効果の両方か,あるいは一方に帰着されるであろう。一つは,膜成長表面へのラジカル源において生成されたH原子の供給で,膜成長表面でのH被覆の増倍を生じた。他の効果は,Siターゲット表面での反応性イオンエッチング(RIE)効果による堆積前駆体としてのSiH_xの生成の増倍であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *微結晶 ,  結晶成長 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *水素 ,  *ラジカル ,  圧力 ,  体積率 ,  非晶質 ,  結晶度 ,  分圧 ,  エッチング ,  被覆
準シソーラス用語： *シリコン ,  ミクロ結晶 ,  全圧 ,  *結晶性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (20件)：

• J. Gao, J. Wang, N. Sakai, K. Iwanaga, K. Muraoka, H. Nakashima, D. Gao, and K. Furukawa: J. Vac. Sci. Technol. A 18(2000)873.
• P. Reinig, F. Fenske, B. Selle, W. Bohne, J. Röhrich, I. Sieber, and W. Fuhs: Appl. Surf. Sci.227(2004)114.
• Y. Leconte, P. Marie, X. Portier, M. Lejeune, and R. Rizk: Thin Solid Films 427(2003)252.
• M. F. Cerqueira, M. Andritschky, L. Rebouta, J. A. Ferreira, and M. F. Silva: Vacuum 46(1995)1385.
• K. Fukaya, A. Tabata, and T. Mizutani: Vacuum 74(2004)561.

タイトルに関連する用語 (7件)： ラジカル ,  支援 ,  マグネトロンスパッタリング ,  Si薄膜 ,  堆積 ,  結晶成長 ,  増強