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J-GLOBAL ID：201002288583396469   整理番号：10A0924874

SiN組成に依存するMONOSメモリ消去機構の遷移とそのサイクル劣化に与える影響

Transition of Erase Mechanism for MONOS memory depending on SiN Composition and its Impact on Cycling Degradation

著者 (5件)： FUJII Shosuke (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  FUJIKI Jun (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  YASUDA Naoki (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  FUJITSUKA Ryota (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SEKINE Katsuyuki (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 956-959  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiリッチのSiN層を有するMONOSメモリにおいて,消去機構が改善される原因を明らかにし,消去機構がサイクル劣化に与える影響を調べた。サイクル劣化は消去動作中に注入される電荷のみによって決定され,書込み/消去条件,書込み/消去回数,あるいは,MONOS構造には無関係であることを明らかにした。これらの知見は信頼性が高いMONOS構造を設計する助けとなる。

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,  *データ消去 ,  *記憶素子 ,  PLD【IC】 ,  経時変化 ,  劣化 ,  劣化故障 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  *キャリア注入
準シソーラス用語： 電荷蓄積 ,  MONOS

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiN ,  組成 ,  消去 ,  遷移 ,  サイクル