高利得アバランシェラッシング型非晶質光伝導体標的をもつ640×480ピクセルアクティブマトリックスSpindt型電界エミッタアレイ画像センサ

NANBA M.; TAKIGUCHI Y.; HONDA Y.; HIRANO Y.; WATABE T.; EGAMI N.; MIYA K.; NAKAMURA K.; TANIGUCHI M.; ITOH S.; KOBAYASHI A.

文献

J-GLOBAL ID：201002288749957553 整理番号：10A0252988

高利得アバランシェラッシング型非晶質光伝導体標的をもつ640×480ピクセルアクティブマトリックスSpindt型電界エミッタアレイ画像センサ

640×480 pixel active-matrix Spindt-type field emitter array image sensor with high-gain avalanche rushing amorphous photoconductor target

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資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

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巻： 28 号： 1 ページ： 96 発行年： 2010年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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ハイビジョンテレビカメラ用の超高感度コンパクト画像センサの開発の一環として,高利得アバランシェラッシング型非晶質光伝導体(HARP)標的をもつ640×480ピクセル電界エミッタアレイ画像センサを作成して,テストした。このセンサでは,アクティブマトリックスSpindt型電界エミッタアレイと,走査型回路および磁気電子集束系を集積した設計を提案し,また15μm厚HARP標的を用いた。実験結果から,試作品センサがピクセル数に関して十分な分解能をもち,また,アクティブマトリックス電界エミッタアレイから放出される電子がHARP標的に集束するため,高い感度を示すことが分かった。(翻訳著者抄録)

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