文献

J-GLOBAL ID：201002288796096760   整理番号：10A0201711

SiCの基板上にエピタキシャル成長させたグラフェン上のHfO₂誘電体の形成に関する光電子分光法によるその場観測

In situ photoemission spectroscopy study on formation of HfO₂ dielectrics on epitaxial graphene on SiC substrate

著者 (9件)： CHEN Q. (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542) ,  HUANG H. (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542) ,  CHEN W. (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542) ,  WEE A. T. S. (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542) ,  FENG Y. P. (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542) ,  CHAI J. W. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol., and Research), 3 Res. Link, Singapore 117602) ,  ZHANG Z. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol., and Research), 3 Res. Link, Singapore 117602) ,  PAN J. S. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol., and Research), 3 Res. Link, Singapore 117602) ,  WANG S. J. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol., and Research), 3 Res. Link, Singapore 117602)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 7  ページ： 072111  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCの基板上にエピタキシャル成長させたグラフェン上に,高品質のHfO₂誘電体を堆積させ,x線光電子分光法によってその場観測を行った。その場熱処理から,HfO₂/グラフェン/4H-SiCから成るヘテロ構造は650°Cまで熱的に安定であることが分かった。グラフェン層に関する内殻準位スペクトルのシフトは,界面において電荷移動が起こることを示している。優れた熱安定性とHfO₂とグラフェンの間の高い障壁は,グラフェン上に成長させたハイ-k誘電体はグラフェンを基本とする電子素子の開発にとって非常に有用であることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  基板 ,  グラファイト ,  *酸化ハフニウム ,  *誘電体薄膜 ,  光電子分光法 ,  その場観察 ,  スパッタ蒸着 ,  内殻準位 ,  誘電材料 ,  グラフェン
準シソーラス用語： high-k材料

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  エピタキシャル成長 ,  グラフェン ,  HfO2 ,  誘電体 ,  光電子分光法 ,  観測