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J-GLOBAL ID：201002288854486124   整理番号：10A0686323

n-p-n発光トランジスタあるいはトランジスタレーザにおける確率的ベースドーピング及び再結合の量子井戸増倍

Stochastic base doping and quantum-well enhancement of recombination in an n-p-n light-emitting transistor or transistor laser

著者 (5件)： THEN H. W. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 W. Green St., Urbana ...) ,  WU C. H. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 W. Green St., Urbana ...) ,  FENG M. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 W. Green St., Urbana ...) ,  HOLONYAK N. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 W. Green St., Urbana ...) ,  WALTER G. (Quantum Electro Opto Systems Sdn Bhd, Melaka 75450, Malaysia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 26  ページ： 263505  発行年： 2010年06月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-p-n量子井戸(QW)発光トランジスタ(LET)あるいはトランジスタレーザ(TL)のベース障壁領域の重p-型確率的ドーピング,QWのトンネリング領域内のアクセプタ,及びQWの摂動が,LETあるいはTLベース再結合(ベース電流)及び素子速度(大域幅)を増倍することを示すデータ及び分析を述べた。自発的再結合速度(1/寿命,1/τ)とベース電流密度との間の関係を,自発,A₂₁,及び刺激再結合係数,B₂₁=B₁₂,を含む(確率的ドーピング)修正レート平衡方程式を考察することにより導出し,QW-LETで得られた実験光マイクロ波変調(大域幅)データにより証明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： トランジスタ ,  半導体レーザ ,  *NPN接合 ,  ベース【半導体】 ,  ドーピング ,  再結合 ,  電流密度 ,  レート方程式 ,  *量子井戸
準シソーラス用語： *発光トランジスタ ,  *トランジスタレーザー

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  発光素子  (NC03082G) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 発光トランジスタ ,  トランジスタレーザ ,  確率 ,  ドーピング ,  再結合 ,  量子井戸