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J-GLOBAL ID：201002288905172987   整理番号：10A0582857

La_0.8Sr_0.2MnO₃/ZnOヘテロ構造の電気抵抗および磁気抵抗特性に及ぼすZnO膜厚の影響

Effects of ZnO film thickness on electrical and magnetoresistance characteristics of La_0.8Sr_0.2MnO₃/ZnO heterostructures

著者 (2件)： FENG Yuchun (Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124 ...) ,  ZHANG Ming (Lab. of Thin Film Materials, Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124 ...)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 322  号： 18  ページ： 2675-2679  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 固溶体 ,  ストロンチウム化合物 ,  ランタン化合物 ,  磁性薄膜 ,  *素子構造 ,  *磁気抵抗 ,  *マンガン酸塩 ,  電気抵抗 ,  *巨大磁気抵抗効果 ,  膜厚 ,  酸化亜鉛
準シソーラス用語： LSMO【化合物】 ,  *マンガナイト ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  ヘテロ構造 ,  電気抵抗 ,  磁気 ,  抵抗特性 ,  膜厚