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J-GLOBAL ID:201002289027662660   整理番号:10A0846839

エミッタメサパシベーションを持つ自己整列InP/InGaAs/InP DHBTを使った120Gビット/秒の1.27W 520mVpp 2:1マルチプレクサIC

A 120-Gbit/s 1.27-W 520-mVpp 2:1 Multiplexer IC Using Self-Aligned InP/InGaAs/InP DHBTs with Emitter Mesa Passivation
著者 (6件):
資料名:
巻: E93-C  号:ページ: 1273-1278  発行年: 2010年08月01日 
JST資料番号: L1370A  ISSN: 0916-8524  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,エミッタメサパシベーション棚をを持つ1μm自己整列InP/InGaAs/InPダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT)を使うことにより,リタイミング機能を持つ2:1マルチプレクサIC(MUX)を製作した。MUXはウェーハ上で測定した時,1.27Wの電力消費と520mVの出力振幅を持ち120Gビット/秒で動作した。Vコネクタを使ってモジュールに組み立てた時,MUXは514mVの出力振幅と1.4Wの電力消費を持ち113Gビット/秒で動作した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  半導体集積回路 

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