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J-GLOBAL ID:201002289062468982   整理番号:10A0821063

CTABで形成した有機半導体の電気特性

The Electric Properties of Organic Semiconductors by Using CTAB
著者 (5件):
資料名:
号: 18  ページ: 9-14  発行年: 2010年03月31日 
JST資料番号: L1955A  ISSN: 0919-1593  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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我々は界面活性剤であるn-Cetyltrimethylammonium Bromid:CTABを材料とした有機半導体試料の作製及び電気特性による評価を行っている。CTABを超純水に溶解し,その水溶液に電圧印加直後ヨウ化カリウム水溶液を添加することにより不純物試料を作製する。電圧印加により電極に異種のイオンを収集することができ,これによりp型・n型有機半導体の実現を狙っている。作製試料の抵抗率はおよそ102~106Ω・cmであり半導体領域の抵抗率であることが確認できた。また,抵抗率の濃度依存性,温度依存性等を評価し半導体的性質の確認を行った。さらにp-n接合試料を作製しI-V特性を見たところ,p-nホモ接合に似た特性が得られた。(著者抄録)
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導 
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