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J-GLOBAL ID：201002289067396890   整理番号：10A0656811

CH_x(x=1,2)の生成を通じてのPd-Niドープした欠陥のあるカーボンナノチューブの水素貯蔵

Hydrogen storage in Pd-Ni doped defective carbon nanotubes through the formation of CH _x (x =1, 2)

著者 (6件)： GAO Lizhen (School of Mechanical Engineering, The Univ. of Western Australia, 35 Stirling Highway, Crawley, WA 6009, AUS) ,  GAO Lizhen (School of Environmental Sci. and Engineering, Taiyuan Univ. of Technol., 030024 Taiyuan, CHN) ,  YOO E. (Graduate School of Pure and Applied Sci., Univ. of Tsukuba, Tennoudai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  NAKAMURA Junji (Graduate School of Pure and Applied Sci., Univ. of Tsukuba, Tennoudai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  ZHANG Weike (School of Mechanical Engineering, The Univ. of Western Australia, 35 Stirling Highway, Crawley, WA 6009, AUS) ,  CHUA Hui Tong (School of Mechanical Engineering, The Univ. of Western Australia, 35 Stirling Highway, Crawley, WA 6009, AUS)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 48  号： 11  ページ： 3250-3255  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層カーボンナノチューブ(MWCNTs)上の化学吸着による水素貯蔵について研究した。初めのMWCNTsは573Kと常圧で0.1wt%の水素を貯蔵できただけであったが,欠陥を生成するための酸化処理とその後のPd-Ni触媒の担持は,水素吸蔵量を6.6wt%まで大きく増加させた。水素脱着温度は500K以上にあり,その場拡散反射IRフーリエ変換分光研究は,水素がCH_x(x=1,2)種の形で貯蔵されることを示唆した。この研究は,最も適切な水素の化学吸着温度が550Kであることを示した。比較のために,酸化した無担持のMWCNTsやPdかNiのどちらかを個別に担持した酸化したMWCNTsやPd-Niで担持した非酸化の新品MWCNTsおよびPd-Ni担持の活性炭について研究した。その結果は,欠陥とPd-Ni触媒が,カーボンナノチューブの水素の高い化学吸着のための2つの必須の要素であることを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *多層カーボンナノチューブ ,  吸着剤 ,  *水素吸蔵 ,  改質 ,  酸化 ,  パラジウム触媒 ,  ニッケル触媒 ,  保持容量 ,  化学吸着 ,  化学種 ,  格子欠陥

分類 (2件)： 気体燃料の輸送,供給,貯蔵  (YE02060M) ,  吸着剤  (YB03000W)

タイトルに関連する用語 (6件)： Pd ,  Ni ,  ドープ ,  欠陥 ,  カーボンナノチューブ ,  水素貯蔵