文献

J-GLOBAL ID：201002289210334796   整理番号：10A0680398

InP上に自己組織化したInAs/InAlAs量子ドットの電気的特性

Electrical properties of self-assembled InAs/InAlAs quantum dots on InP

著者 (6件)： HAMDAOUI N (Ecole superieur des Sci. et de la Technol. Hammam Sousse, TUN) ,  AJJEL R (Ecole superieur des Sci. et de la Technol. Hammam Sousse, TUN) ,  MAAREF H (Lab. de physique des Semiconducteurs et des Composants Electroniques (LPSCE), Monastir, TUN) ,  SALEM B (CEA-Grenoble, Grenoble, FRA) ,  BREMOND G (INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA) ,  GENDRY M (Inst. Nanotechnologies de Lyon, CNRS, Ecully, FRA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 6  ページ： 065011,1-6  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP上に自己組織化したInAs/InAlAsから成る量子ドット(QD)の電気的特性に関する研究結果を報告する。InP上に自己組織化したInAs/InAlAsから成るQDに関する静電容量-電圧(C-V)測定,および深準位過渡分光法(DLTS)による測定から,このQDのエネルギー準位に関する詳細な情報を得ることができた。C-V測定から得られたキャリアの深さ方向の分布から,InAsにおけるQD面に可成りの量のキャリアが蓄積していることが分かった。印加電圧の関数として行ったDLTS測定から,DLTSスペクトルは電圧の印加によって大幅に変化することが分かった。これらの結果から,障壁を通過する電子トンネリングの増大には欠陥が寄与していることが明らかになった。

シソーラス用語： 自己集合 ,  *ヒ化インジウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  ヘテロ接合 ,  *量子ドット ,  基板 ,  量子井戸 ,  容量電圧特性 ,  深準位過渡分光法 ,  キャリア密度 ,  深さ分布 ,  *捕獲中心 ,  *深い準位 ,  トンネル効果 ,  ポテンシャル障壁 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： キャリア蓄積 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  自己組織化 ,  InAs ,  InAlAs ,  量子ドット ,  電気的特性