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J-GLOBAL ID：201002289250842484   整理番号：10A0466593

ZnO/Siから成るヘテロ接合のエレクトロルミネセンス特性:エネルギーバンド配列と界面の微小構造

Electroluminescence behavior of ZnO/Si heterojunctions: Energy band alignment and interfacial microstructure

著者 (8件)： YOU J. B. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  ZHANG X. W. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  ZHANG S. G. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  TAN H. R. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  YING J. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  YIN Z. G. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  ZHU Q. S. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, CAS, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  CHU Paul K. (Dep. of Physics and Materials Sci., City Univ. of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 8  ページ： 083701  発行年： 2010年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-ZnO/p-Siから成るヘテロ接合を基本とする発光ダイオード(LED)は欠陥に関係する弱いエレクトロルミネセンス(EL)を示す。弱いELの起源を解析するために,X線光電子分光法によってZnO/Siヘテロ接合のエネルギーバンド配列と界面微小構造を研究した。研究結果から,価電子帯のバンドオフセット(VBO)は3.15±0.15eV,そして伝導帯のバンドオフセットは-0.90±0.15eVであることが分かった。このことはこのヘテロ接合がII型のバンド配列を持つことを示唆している。VBOが大きいことは,SiからZnOに注入される正孔に対するポテンシャル障壁が高いことを意味し,結果として荷電キャリヤの再結合はZnO層よりはむしろSi側で主に起こることが分かった。また,厚さが2.1nmのSiO_x界面層がZnO/Si界面に形成されることも分かった。避けることのできないSiO_x界面層によってZnO/Si界面に多くの無輻射中心が形成され,ZnO薄膜の結晶の品質を低下させる。n-ZnO/p-Siから成るLEDからの弱いELは,ZnO/Siにおける高いVBOとSiO_x界面層の存在に起因することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  *エレクトロルミネセンス ,  バンド構造 ,  PN接合 ,  *発光ダイオード ,  X線光電子スペクトル ,  表面構造 ,  界面 ,  微細構造 ,  バンドオフセット ,  ポテンシャル障壁 ,  無放射遷移 ,  紫外可視発光スペクトル ,  X線回折 ,  電流電圧特性 ,  構造
準シソーラス用語： 荷電したい

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  エレクトロルミネセンス ,  エネルギーバンド ,  界面 ,  微小構造