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J-GLOBAL ID:201002289582041604   整理番号:10A0305376

室温強磁性体V(TCNE)<sub>x</sub>(1.5<x<2)の理論:隠れた平坦なバンドの役割

Theory of Room Temperature Ferromagnet V(TCNE)<sub>x</sub> (1.5<x<2): Role of Hidden Flat Bands
著者 (3件):
資料名:
巻: 79  号:ページ: 034712.1-034712.6  発行年: 2010年03月15日 
JST資料番号: G0509A  ISSN: 0031-9015  CODEN: JUPSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分子遷移金属錯体V(TCNE)<sub>x</sub>(1.5<x<2)の室温強磁性(1回強磁性で結晶化した)の可能な起源に関する理論研究を行った。この化合物群では,試料品質のため,結晶構造の明確な理解が得られておらないが,Vの有効原子価は+2に近いことが知られている。x=2の化学量論の場合に新しい結晶構造を提案した。この場合,各TCNE分子の原子価は-1で,抵抗率は絶縁性の挙動を見せ,隣接するV原子上のd電子間の交換相互作用は,3バナジウム原子のクラスタと1個のTCNE分子を基に評価した。同じV原子内部のd軌道間のHund結合,及び混成から生じるd軌道とTCNEのLUMOとの間の反強磁性結合(橋架けV原子)から,全体として強磁性(正確にはフェリ磁性)が生じることが分った。この局在電子に基づく見解はバンド描像により補完した。この描像は,平坦なバンドが存在すると,強磁性が生じ,局在の観点と矛盾しないことを示す。強磁性と半導性輸送特性を依然として示す非化学量論の場合(x<2)もAnderson局在から生じるとして分析した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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有機化合物の磁性 
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