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J-GLOBAL ID：201002289646912272   整理番号：10A0847795

Si(100)-(2×1)上の励起誘起ゲルマニウム量子ドット形成

Excitation-induced germanium quantum dot formation on Si(100)-(2×1)

著者 (2件)： ER Ali Oguz (Dep. of Physics, Old Dominion Univ., Norfolk, Virginia 23529, USA) ,  ELSAYED-ALI Hani E. (Dep. of Electrical and Computer Engineering and the Applied Res. Center, Old Dominion Univ., Norfolk, Virginia 23529 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 3  ページ： 034303  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)-(2×1)上にパルスレーザ蒸着によって成長したGe量子ドットの自己集合に及ぼすナノ秒パルスレーザ励起の影響を研究した。その場反射高エネルギー電子回折とex situ原子間力顕微鏡を用いて,量子ドット構造と形態を調べた。室温で,励起レーザを適用すると,成長したGe膜の表面粗さは減少した。表面電子励起によって,結晶Ge量子ドットが(励起なしでそれらを形成するには低すぎる温度である)250°Cで形成した。390°Cの基板温度で,成長中の電子励起は,量子ドットの結晶品質を高め,それらの形態を変更し,それらの粒度分布をほぼ半減させることが分かった。Ge吸着原子の表面ホッピングを増強する純電子機構を提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *量子ドット ,  レーザ蒸着 ,  自己集合 ,  ナノ秒 ,  レーザ励起 ,  その場観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  形態 ,  構造特性 ,  室温 ,  *半導体薄膜 ,  表面粗さ ,  電子励起 ,  結晶 ,  基板温度 ,  粒度分布 ,  RHEED ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 吸着原子 ,  結晶品質

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  励起 ,  誘起 ,  ゲルマニウム ,  量子ドット