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J-GLOBAL ID：201002289674842263   整理番号：10A0176951

緩和SiGe-オン-絶縁体上の歪みSiにおける歪み安定性及びキャリア移動度増大

Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator

著者 (8件)： MA Xiaobo (Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  MA Xiaobo (City Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  LIU Weili (Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  LIU Xuyan (Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  DU Xiaofeng (Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  SONG Zhitang (Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  LIN Chenglu (Shanghai Inst. of Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  CHU Paul K. (City Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 1  ページ： H104-H108  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 凝縮法により形成した緩和SiGe-オン-Si(SGOI)基板上に歪みSi層を形成してn型及びp型MOSFETを作製した。歪みSi/SGOI基板は,SiMOXウエハにSiGe層を化学蒸着し,1100°Cでドライ酸化してから酸化膜を除去し,Si層を化学蒸着して形成した。SiGe層のGe濃度は18~29%,歪みSi層の厚みは20~30nmである。ドライ酸化(780°C),イオン注入(As⁺,B⁺),急速アニール(1020°C)に伴う歪みSi層の歪み緩和は7~9%であった。歪みSi/SGOI基板上に形成したMOSFETの電気特性を普通のSOI基板及び緩和SGOI基板上に作製したMOSFETのそれと比較した。電子及び正孔移動度は普通のSOI基板を用いたものよりそれぞれ1.5倍と1.4倍大きかったが,漏れ電流密度は比較的高かった。これはSi/SiGe界面の構造欠陥に起因する。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ケイ素 ,  *格子歪 ,  SOI構造 ,  キャリア移動度 ,  漏れ電流 ,  電流電圧特性 ,  MOS構造 ,  NMOS構造 ,  凝縮 ,  熱酸化 ,  イオン注入 ,  RTA【熱処理】
準シソーラス用語： SGOI構造 ,  PMOS構造

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 緩和 ,  SiGe ,  絶縁体 ,  歪み ,  Si ,  安定性 ,  キャリア移動度