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J-GLOBAL ID：201002290437879878   整理番号：10A0548444

エピタキシャル層構造設計によるInGaN系レーザダイオードの性能改善

Performance improvement of InGaN-based laser diodes by epitaxial layer structure design

著者 (13件)： LIU Jianping (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  ZHANG Yun (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  LOCHNER Zachary (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  KIM Seong-Soo (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  KIM Hyunsoo (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  RYOU Jae-Hyun (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  SHEN Shyh-Chiang (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  YODER P. Doug (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  DUPUIS Russell D. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  WEI Qiyuan (Arizona State Univ., Arizona, USA) ,  SUN Kewei (Arizona State Univ., Arizona, USA) ,  FISCHER Alec (Arizona State Univ., Arizona, USA) ,  PONCE Fernando (Arizona State Univ., Arizona, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7602  ページ： 760219.1-760219.6  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN導波路層を有する青色レーザダイオード(LD)の微細構造と光学的特性化を報告した。GaN導波路層及びIn_0.03Ga_0.97N導波路層を持つ青色レーザダイオードのエピタキシャル構造を低圧MOCVDにより成長させた。In_0.03Ga_0.97N導波路層はLD性能を有意に高めた。その要因となる機構をX線回折の相反空間写像と時間分解した陰極線ルミネセンス測定を用いて調べた。InGaN導波路層を持つLD構造により,室温で454.6nmをレーザ発振させた。

シソーラス用語： エピタクシー ,  *MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  *半導体レーザ ,  青 ,  微細構造 ,  X線回折 ,  陰極線ルミネセンス ,  光導波路 ,  レーザ発振

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル層 ,  構造設計 ,  InGaN ,  レーザダイオード ,  性能改善