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J-GLOBAL ID：201002290456439889   整理番号：10A0657476

HfO₂/GaAs界面状態と界面パシベーションの起源 第一原理による研究

Origin of HfO₂/GaAs interface states and interface passivation: A first principles study

著者 (8件)： WANG Weichao (Dep. of Materials Sci. & Engineering, The Univ. of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, TX 75080, USA) ,  XIONG Ka (Dep. of Materials Sci. & Engineering, The Univ. of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, TX 75080, USA) ,  LEE Geunsik (Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA) ,  HUANG Min (Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA) ,  WALLACE Robert M. (Dep. of Materials Sci. & Engineering, The Univ. of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, TX 75080, USA) ,  WALLACE Robert M. (Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA) ,  CHO Kyeongjae (Dep. of Materials Sci. & Engineering, The Univ. of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road, Richardson, TX 75080, USA) ,  CHO Kyeongjae (Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 22  ページ： 6569-6573  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂/GaAs界面の第一原理計算により,界面状態はHfO₂とGaAs面間の電荷マッチングを起源することが示される。モデル中性界面(表面ユニットセル当り二つのOと一つのGa原子で終端したHfO₂とGaAs表面)が界面電荷の平衡によりギャップ状態を取り去ることが判った。FとHは,HfO₂/GaAs界面を中性化でき,有用なバンドオフセットを生じて,こうして界面状態を不活性化する有望な候補となる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  表面準位 ,  *第一原理 ,  *電荷 ,  *平衡 ,  界面 ,  バンドオフセット ,  *不動態化
準シソーラス用語： 界面状態 ,  界面電荷

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (8件)： HfO2 ,  GaAs ,  界面状態 ,  界面 ,  パシベーション ,  起源 ,  第一原理 ,  研究