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J-GLOBAL ID：201002290636014002   整理番号：10A0387512

ウェットプロセスにより製作した酸化インジウム亜鉛薄膜トランジスタの高い電気性能

High Electrical Performance of Wet-Processed Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors

著者 (8件)： PARK Kyung-Bae (Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR) ,  SEON Jong-Baek (Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR) ,  KIM Gun Hee (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  YANG Mino (Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR) ,  KOO Bonwon (Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR) ,  KIM Hyun Jae (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  RYU Myung-Kwan (Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR) ,  LEE Sang-Yoon (Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 4  ページ： 311-313  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウム亜鉛(IZO)は,透明電極としても半導体としても使用できる材料として期待されている。その抵抗値は,薄膜成長法を制御するだけで4桁以上制御可能である。スピンコート法で製作したIZO TFTsは高電子移動度を示すがオフ電流が大きいなど幾つかの課題がある。本稿では,ボトムゲートエッチストッパTFTsを製作する全フォトリソグラフィー法について報告した。チャネル形成に硝酸インジウムと酢酸亜鉛をプリカーサとして使う,ウエットプロセスを使った。製作したTFTは飽和移動度6.57cm²/V・s,閾値電圧-0.30V,ターンオン電圧-1.50V,オン/オフ比10⁹,逆サブ閾値スロープ0.15V/decを示した。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  金属酸化物 ,  *湿式法 ,  *薄膜トランジスタ ,  透明電極 ,  薄膜成長 ,  *キャリア移動度 ,  フォトリソグラフィー ,  電圧
準シソーラス用語： ウェットプロセス ,  オンオフ比 ,  *酸化インジウム亜鉛 ,  電子移動度 ,  閾値電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ウェットプロセス ,  製作 ,  酸化インジウム亜鉛 ,  薄膜トランジスタ ,  電気性能