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J-GLOBAL ID：201002290974761077   整理番号：10A0093766

立方晶相としてY₂O₃で安定化させたHfO₂膜におけるポテンシャル特性の評価

Characterization upon potential properties of HfO₂ stabilized by Y₂O₃ films as cubic phase

著者 (4件)： SHI Lei (National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Hankou Road 22, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  ZHOU Yue (National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Hankou Road 22, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  YIN Jiang (National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Hankou Road 22, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  LIU Zhiguo (National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Hankou Road 22, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 1  ページ： 014104  発行年： 2010年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ堆積法で堆積した6mol%Y₂O₃で安定化させたナノメータ厚みの立方HfO₂(YSH)膜を実験により詳細に調べた。27.2と高い誘電率の著しい増加,-0.46Vと負のフラットバンド電圧,及び非常に小さなヒステリシス曲線を含む優れた誘電特性の他に,このYSH膜は明らかに磁場に対する応答も示した。300KのYSH膜から平行及び垂直磁場でそれぞれ約1.3Am²kg^-1及び5.8Am²kg^-1の飽和磁化が得られた。これらは同一磁場で純粋なHfO₂膜の場合よりも20%及び9%高い。これはハフニウムベース酸化物膜の電気特性を電気及び/又は磁気操作により制御する直接的な方法である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOS集積回路 ,  ゲート【半導体】 ,  *絶縁材料 ,  *酸化ハフニウム ,  ドーピング ,  *酸化イットリウム ,  レーザ蒸着 ,  *誘電体薄膜 ,  MOS構造 ,  誘電率 ,  電圧 ,  磁化特性 ,  飽和磁化 ,  膜厚 ,  安定化 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： フラットバンド電圧 ,  酸化物換算厚み ,  磁化曲線

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 立方晶 ,  Y2O3 ,  安定化 ,  HfO2 ,  ポテンシャル ,  評価