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J-GLOBAL ID：201002291050579813   整理番号：10A1124825

反射率差分光法により研究したInAs/GaAsエピタクシー層の2次元から3次元への成長転移

The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy

著者 (6件)： ZHOU G. Y. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  CHEN Y. H. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  TANG C. G. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  LIANG L. Y. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  JIN P. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  WANG Z. G. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 8  ページ： 083513  発行年： 2010年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,反射率差分光法を採用して,GaAsマトリックス中に様々な温度で成長したInAs層の発展を調べた。InAs層の2次元から3次元への成長転移に伴って,InAs濡れ層の転移エネルギーと面内光学異方性が急激な変化を見せた。これは成長が転移する臨界厚h_cを決定する新しい手段になる。得られたh_cは原子間力顕微鏡測定により決定した結果と比較した。高温で食違いが見られた。この違いの原因を明らかにし,温度によるh_cの変動をさらに論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スペクトロスコピー ,  *ヒ化ガリウム ,  ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  濡れ ,  膜厚 ,  原子間力顕微鏡 ,  *MBE成長 ,  二次元 ,  三次元 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： *反射率差分光法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 反射率差分光法 ,  研究 ,  InAs ,  GaAs ,  エピタクシー層 ,  2次元 ,  3次元 ,  成長