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J-GLOBAL ID：201002291246493119   整理番号：10A0847600

深さ勾配ドープした負の電子親和力を有するGaN光電陰極に関する高い量子効率

High quantum efficiency of depth grade doping negative-electron-affinity GaN photocathode

著者 (5件)： GUO Xiangyang (Dep. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing, JiangSu ...) ,  WANG Xiaohui (Dep. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing, JiangSu ...) ,  CHANG Benkang (Dep. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing, JiangSu ...) ,  ZHANG Yijun (Dep. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing, JiangSu ...) ,  GAO Pin (Dep. of Electronic Engineering and Optoelectronic Technol., Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing, JiangSu ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 6  ページ： 063104  発行年： 2010年08月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深さ勾配ドープした窒化ガリウム(GaN)光電陰極試料を,極度に高い量子効率(QE)を得るために設計した。比較のために,均一ドーピングした2個の試料も同じ過程で調製した。較正したQE曲線を次のようにして得た。実験で得たQEプロットを理論計算値と比較し,エスケープ確率と拡散距離とを当てはめた。勾配ドープ試料のQE値は,5.17eVで68.7%の高い値を示した。勾配ドープ試料について当てはめた拡散距離は250nmであり,均一ドープ試料の場合よりも遥かに大きかった。この結果は,深さ勾配ドーピングが,GaN光電陰極のQEを著しく改善する理由を説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光電陰極 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  電子親和力 ,  ドーピング ,  深さ分布 ,  *量子効率 ,  拡散距離 ,  現象 ,  *光電流 ,  エネルギー依存性 ,  バンド構造 ,  濃度勾配 ,  キャリブレーション
準シソーラス用語： エスケープ現象 ,  エネルギーバンド

分類 (2件)： 光電子放出  (BM09030D) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 勾配 ,  ドープ ,  電子親和力 ,  GaN ,  光電陰極 ,  量子効率