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J-GLOBAL ID：201002291819884819   整理番号：10A0581462

パルスレーザ堆積によるエピタキシャルTmFeCuO₄薄膜の成長

Growth of epitaxial TmFeCuO₄ thin films by pulsed laser deposition

著者 (7件)： SEKI Munetoshi (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...) ,  MIKAMI Masateru (Dep. of Materials Engineering Sci., Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-cho ...) ,  IWAMOTO Fujiyuki (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...) ,  ONO Yosuke (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...) ,  OSONE Takamasa (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...) ,  TABATA Hitoshi (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...) ,  TABATA Hitoshi (Dep. of Bioengineering, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 15  ページ： 2273-2278  発行年： 2010年07月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ堆積と空気中での外部アニールにより,2次元三角形格子構造をもつTmFeCuO₄薄膜をイットリア安定化ジルコニア基板上にエピタキシャル成長させることができた。500°Cで堆積した膜はTmFeCuO₄相を示さず,アニールをすると膜成分は分解してしまった。一方,800°Cで堆積した膜は非晶質であったが,アニールすると高度に(001)配向したエピタキシャル膜となった。走査電子顕微鏡観察から,アニール時の結晶成長過程は,形状が不規則な島構造から六角形底面をもつ均一な島構造への再成長により支配されることが分かった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 酸化物 ,  銅化合物 ,  鉄化合物 ,  *ツリウム化合物 ,  *磁性薄膜 ,  *ヘテロエピタクシー ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  基板 ,  レーザ蒸着 ,  焼なまし ,  基板温度 ,  磁化 ,  単結晶 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： イットリア安定化ジルコニア ,  *固相エピタクシー

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： パルスレーザ堆積 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  成長