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J-GLOBAL ID：201002292750410263   整理番号：10A1041226

反応性マグネトロンスパッタリング蒸着を使用してプラズマ自己加熱条件でサファイア上に成長させたAlNの構造的性質

Structural Properties of AlN Grown on Sapphire at Plasma Self-Heating Conditions Using Reactive Magnetron Sputter Deposition

著者 (3件)： SEO Hui-Chan (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA) ,  PETROV Ivan (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA) ,  KIM Kyekyoon (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 8  ページ： 1146-1151  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウム(AlN)は,硬度が高く,ワイドバンドギャップ(6.2eV),ブレークダウン電圧が高く,高温安定性と化学的安定性を持つため,硬質皮膜,耐食性皮膜,パワーデバイスや紫外線光電子素子用材料として有望である。本稿では,サファイア基板上への反応性マグネトロンスパッタリングにより成膜したAlN薄膜の構造的性質について報告した。基板温度はプラズマ自己加熱によるもので94°Cと低かった。各種基板バイアスと成長圧力のおいて,イオンエネルギーの違いによるAlN薄膜の構造的性質を調べた。その結果,高イオンエネルギーにより吸着原子移動度が増加するが,過剰なイオンエネルギーにより薄膜の品質が低下した。圧力が低い場合膜の平滑性が増し,結晶品質が向上した。プラズマ自己加熱条件でもサファイア基板上に単結晶が成長した。格子定数は0.9475でバルクより0.10%小さかった。

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *マグネトロンスパッタリング ,  サファイア ,  格子定数 ,  バンドギャップ ,  安定性 ,  半導体素子 ,  構造特性
準シソーラス用語： イオンエネルギー ,  サファイア基板 ,  *パワーデバイス ,  ブレークダウン電圧 ,  ワイドバンドギャップ ,  吸着原子 ,  結晶品質 ,  構造的性質 ,  *自己加熱

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 反応性マグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  プラズマ ,  自己加熱 ,  サファイア ,  成長 ,  AlN ,  構造的性質