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J-GLOBAL ID：201002292850142010   整理番号：10A0904113

イオンビームスパッタ堆積法で作製されたナノ結晶酸化インジウムスズ薄膜の特性評価

Characterization of nanocrystalline indium tin oxide thin films prepared by ion beam sputter deposition method

著者 (8件)： VENKATACHALAM S. ,  NANJO Hiroshi ,  HASSAN Fathy M.B. ,  KAWASAKI Kazunori ,  KANAKUBO Mitsuhiro ,  AIZAWA Takafumi ,  AIDA Tsutomu ,  EBINA Takeo
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 23  ページ： 6891-6896  発行年： 2010年09月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウムスズ(ITO)薄膜をイオンビームスパッタ堆積法でガラス基板上に3つの異なる堆積条件[(i)固定したアルゴン流速(1.65sccm)で酸素(O₂)流速を0.05sccmから0.20sccmまで変える,(ii)固定したO₂流速(0.05sccm)でAr流速を1.00sccmから1.65sccmまで変える,(iii)固定したAr流速(1.65sccm)と固定したO₂流速(0.05sccm)で堆積時間を変える]において堆積した。(i)X線回折(XRD)パターンはITO薄膜が(400)面に沿った優先配向を持つことを示した。ITO薄膜の配向はO₂流速を0.05sccmから0.20sccmまで増すにつれ(400)方位から(222)方位に変化した。可視領域での光透過率はO₂流速の増加と共に増加した。ITO薄膜のシート抵抗(R_s)もまたO₂流速の増加と共に増加した。これは薄膜の結晶粒径の減少に帰せられた。(ii)XRDパターンはITO薄膜が(222)方位に沿って強く優先配向することを示した。可視スペクトル領域での光透過率はAr流速の増加と共に増加する。ITO薄膜のR_sはAr流速の増加と共に増加し,これは薄膜の結晶粒径の減少に帰せられた。(iii)膜厚を314nmから661nmに増加すると,ITO薄膜の優先配向が(400)から(222)へ変化することが観察された。可視スペクトル領域での光透過率は200°Cでのアニーリング後に増加した。ITO薄膜のR_sは膜厚の増加と共に減少した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イオンビームスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *酸化インジウムスズ ,  *ナノ結晶 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  透明導電膜 ,  *優先配向 ,  *透過率 ,  シート抵抗 ,  膜厚 ,  *電気伝導率 ,  光学定数
準シソーラス用語： ガラス基板

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオンビームスパッタ ,  堆積 ,  作製 ,  ナノ結晶 ,  酸化インジウムスズ ,  薄膜 ,  特性評価